[13p-B407-1~10] 11.4 アナログ応用および関連技術

[13p-B407-9] 輻射加熱によるNb₃Ge超伝導薄膜の作製

〇川上 彰¹、寺井 弘高¹、鵜澤 佳徳² (1.情通機構、2.国立天文台)

キーワード：Nb3Ge、SISミキサ、薄膜

1.5 THz帯SISミキサの実現に向けて，Nb₃Ge薄膜成膜法を検討した．成膜方法として多元同時DCスパッタ法を採用，今回，輻射加熱による大面積石英基板へのNb₃Ge成膜を試みた．まず基板裏面に熱吸収膜として炭素/Nbの二層膜を成膜，ヒーター面と約1mmのギャップを介して配置し，熱輻射で基板加熱した．作製したNb₃Ge薄膜はXRD解析により結晶化を確認，超伝導転移温度は約13.5 Kであった．