[13p-B408-1~16] 11.1 基礎物性

[13p-B408-11] 電気二重層トランジスタを用いて電子ドープしたFeSeにおける化学圧力効果

色摩 直樹¹、崎下 雄稀¹、〇鍋島 冬樹¹、上野 和紀¹、前田 京剛¹ (1.東大院総合)

キーワード：鉄系超伝導、薄膜、電気二重層トランジスタ

鉄カルコゲナイドFeSeは電子ドープすることで，超伝導転移温度T_cが9 Kから40 K程度まで大きく上昇する．この電子ドープFeSeにおける高T_c超伝導の超伝導メカニズムに関する知見を得るために，等原子価元素(SおよびTe)置換したFeSe薄膜を用いて電気二重層トランジスタを作製し，電子ドープFeSeの化学圧力効果を調べた．電子ドープFeSeの化学圧力-温度相図における超伝導相は，FeSeでT_cが最大となるドーム状になることがわかった．