[13p-B408-1~16] 11.1 基礎物性

[13p-B408-12] 超伝導体共振器によるFeSe_1-xTe _x薄膜の磁場侵入長組成依存性

〇前田 京剛¹、中村 奏太¹、黒川 穂高¹、色摩 直樹¹、崎下 雄稀¹、鍋島 冬樹¹、孫 悦²、北野 晴久² (1.東大総合文化、2.青山学院大理工)

キーワード：磁場侵入長、鉄カルコゲナイド、薄膜

パルスレーザー堆積法で全組成領域のFeSe_1-xTe_x薄膜を作製し，サンドブラスト法ならびにArイオンミリング法によりコプレーナー型共振器を作製し，磁場侵入長の測定を行った。
低温極限での磁場侵入長の大きさは組成により大きな変化はなく、T_c と相関が見られない。当日はこれらの意味するところ，特に超伝導ギャップ構造について，議論する。