[13p-B508-1~21] 3.9 テラヘルツ全般

△ [13p-B508-11] テラヘルツ自由電子レーザーによる半導体表面からの高調波発生

〇(M1)清水 智貴¹、Phan Thanh Nhat Khoa¹、菅 晃一²、北原 英明¹、磯山 悟朗²、吉村 政志¹、中嶋 誠¹ (1.阪大レーザー研、2.阪大産研)

キーワード：テラヘルツ、高調波発生、自由電子レーザー

テラヘルツ自由電子レーザーを用いて、半導体InSb・InAsやグラフェンからの高調波の発生に成功した。また、THz帯の高調波は自由電子起源であり、光帯とは機構が異なる。透過配置では測定が難しい試料において、反射配置での測定を行った。得られた高調波のスペクトル情報だけでなく、励起強度依存性・偏光特性から、これらの信号が3次高調波であることを確認した。３次のみならず５次の高調波の観測に成功した。