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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[13p-D221-1~14] 6.4 薄膜新材料

2020年3月13日(金) 13:45 〜 18:30 D221 (11-221)

土屋哲男(産総研)、西川博昭(近畿大)、大友明(東工大)

17:30 〜 17:45

△ [13p-D221-11] ミスト化学気相成長法によるCu₃Nエピタキシャル薄膜の合成

〇岡大地¹、福村知昭^1,2 (1.東北大理、2.東北大AIMR & CRC)

キーワード：窒化物、エピタキシャル薄膜、ミスト化学気相成長法