[13p-D411-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [13p-D411-10] Realization of high-mobility two-dimensional hole gas at the SrTiO₃ interface

〇(M1)Shingo Kaneta¹, Le Duc Anh¹, Masashi Tokunaga², Munetoshi Seki^1,3, Hitoshi Tabata^1,3, Masaaki Tanaka^1,3, Shinobu Ohya^1,3 (1.Univ. of Tokyo, 2.ISSP, The Univ. of Tokyo, 3.CSRN, The Univ. of Tokyo)

Keywords:oxide electronics, two-dimensional hole gas

SrTiO₃(STO)を用いた二次元電子ガスの研究は精力的に行われてきたが，二次元正孔ガス(2DHG)を実現することは極めて難しかった．今回，我々はFe極薄膜を堆積することで，STO基板上に高移動度の2DHGの作製に成功した．堆積したFeは完全に酸化されており，Feの膜厚を変えるだけで，キャリアをp型からn型へと変えることができ，シュブニコフ-ドハース振動から正孔の2次元性を明らかにした．