[13p-D411-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-D411-10] SrTiO₃界面における高移動度二次元正孔ガスの実現

〇(M1)金田 真悟¹、Le Duc Anh¹、徳永 将史²、関 宗俊^1,3、田畑 仁^1,3、田中 雅明^1,3、大矢 忍^1,3 (1.東大院工、2.東大物性研、3.東大スピントロニクス学術連携研究教育センター)

キーワード：酸化物エレクトロニクス、二次元正孔ガス

SrTiO₃(STO)を用いた二次元電子ガスの研究は精力的に行われてきたが，二次元正孔ガス(2DHG)を実現することは極めて難しかった．今回，我々はFe極薄膜を堆積することで，STO基板上に高移動度の2DHGの作製に成功した．堆積したFeは完全に酸化されており，Feの膜厚を変えるだけで，キャリアをp型からn型へと変えることができ，シュブニコフ-ドハース振動から正孔の2次元性を明らかにした．