[13p-D411-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-D411-16] 電子ドープした層状Sr₃V₂O₇ (001)エピタキシャル薄膜の電気伝導特性

〇福田 慎太郎¹、岡 大地¹、木村 憲彰¹、福村 知昭^1,2,3 (1.東北大院理、2.東北大 AIMR、3.東北大 CSIS・CSRN)

キーワード：薄膜、強相関、エピタキシャル成長

低次元のペロブスカイト型SrVO3類縁化合物がもつ電子状態を系統的に調査するため、層状ペロブスカイト型LaドープSr3V2O7エピタキシャル薄膜を合成し、電子ドープが電気伝導特性に及ぼす影響を評価した。d1–d1.5の領域での電子濃度や抵抗率はドープ量に対して極大・極小をそれぞれ示した。極低温では近藤効果由来と考えられる抵抗率極小が観測された。これはドープ量に伴い系統的に変化しており、イントリンジックなスピン散乱が示唆された。