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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-D411-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年3月13日(金) 13:45 〜 18:15 D411 (11-411)

小塚裕介(物材機構)、福村知昭(東北大)

14:00 〜 14:15

▲ [13p-D411-2] Effect of Electric Field-Assisted Hydrogenation on NdNiO₃ Thin Film Resistor

〇(D)Umar Sidik¹、Azusa Hattori¹、Hidekazu Tanaka¹ (1.ISIR, Osaka Univ.)

キーワード：proton resistor, NdNiO3