[13p-D411-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [13p-D411-8] Thickness-Dependent Electronic Structures of VO₂/TiO₂(001) Ultrathin Films

〇Daisuke Shiga^1,2, Billy Yang¹, Hasegawa Naoto¹, Kanda Tatsuhiko¹, Tokunaga Ryosuke¹, Kitamura Miho², Yukawa Ryu², Yoshimatsu Kohei¹, Horiba Koji², Kumigashira Hiroshi^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:strongly correlated electron system, metal-insulator transition, photoelectron spectroscopy

VO₂は、室温付近で構造相転移を伴った急激な金属-絶縁体転移を示すことから、強相関デバイスとしての応用が期待されている。本研究では、膜厚を制御したVO₂/TiO₂(001)極薄膜を作製し、物性測定による電子相図作成、及びin-situ放射光光電子分光による電子状態評価を行った。その結果、VO₂薄膜は膜厚が2 nmまではその物性を維持することが示唆された。また、VO₂薄膜は臨界膜厚が1.0–1.5 nmで膜厚依存金属-絶縁体転移を示すことが明らかになった。