[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-10] 顕微ラマンイメージングによる高温状態の電極付n形β-Ga₂O₃結晶の
電子物性に関する研究

〇須田 潤¹、佐藤 豪紀¹、山田 孝治¹ (1.中京大工)

キーワード：Ga2O3、ラマンイメージング、電子物性

β-Ga₂O₃結晶は低損失かつ高速スイッチング特性をもつ大電力インバータ用半導体として期待されている。しかしながら、一般にワイドギャップ半導体によるパワー素子を約200℃の高温で動作させるため，電極界面における局所的な応力は機械的な剥離，クラック等の信頼性低下の要因が指摘されている．本研究では,Au/Ti/Cr 多層膜電極付n形β-Ga₂O₃結晶について3Dラマンイメージングの高温測定を行い、誘電分散を解析して418cm^-1 peak (A_g mode)のラマンスペクトルを計算して高温200℃の電極付n形β-Ga₂O₃結晶の電子物性を調べた．