[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-2] C面サファイア基板上α-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の結晶相安定性

〇(D)神野 莉衣奈¹、増田 泰久¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、構造相転移

α‑(Al_xGa_1-x)₂O₃(5.6-8.8 eV)は、超ワイドバンドギャップ材料の1つであり、パワーデバイスの材料として近年注目を集めている。α‑Ga₂O₃は熱的に準安定相であり600℃付近で最安定相のβ相に相転移することが知られているが、サファイア基板上α‑Ga₂O₃薄膜の相転移温度は膜厚が減少するにつれ増加する。本研究では、α‑(Al_xGa_1-x)₂O₃の結晶相の安定性の膜厚依存性およびAl組成依存性について報告する。