The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-D419-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 13, 2020 1:45 PM - 6:15 PM D419 (11-419)

Takashi Yasuda(Ishinomaki Senshu Univ.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

[13p-D419-8] Photocurrent Spectra of N-ion-implanted β-Ga2O3 Crystals

〇(B)Masahiko Nakanishi1, Man Hoi Wong2, Tomohiro Yamaguchi1, Tohru Honda1, Masataka Higashiwaki2, Takeyoshi Onuma1 (1.Kogakuin Univ., 2.NICT)

Keywords:Gallium oxide, Photocurrent, Ion implantation

窒素イオン注入した酸化ガリウムの光電流スペクトルの測定をバイアスを印加しながら行った。得られたスペクトルに対して、バンドギャップ以下(2.0~4.5eV)と以上(4.5~5.5eV)の範囲で強度積分を行い、アニール温度に対してプロットを行った。得られた結果から、窒素イオン注入が補償アクセプタの形成と、新たな非輻射性再結合中心の形成を誘起し、残留キャリアと光励起キャリアに影響を及ぼすことを確認した。