2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月13日(金) 13:45 〜 18:15 D419 (11-419)

安田 隆(石巻専修大)、池之上 卓己(京大)

15:45 〜 16:00

[13p-D419-8] 窒素イオン注入酸化ガリウム結晶の光電流スペクトル

〇(B)中西 雅彦1、ワン マンホイ2、山口 智広1、本田 徹1、東脇 正高2、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.情通機構)

キーワード:酸化ガリウム、光電流、イオン注入

窒素イオン注入した酸化ガリウムの光電流スペクトルの測定をバイアスを印加しながら行った。得られたスペクトルに対して、バンドギャップ以下(2.0~4.5eV)と以上(4.5~5.5eV)の範囲で強度積分を行い、アニール温度に対してプロットを行った。得られた結果から、窒素イオン注入が補償アクセプタの形成と、新たな非輻射性再結合中心の形成を誘起し、残留キャリアと光励起キャリアに影響を及ぼすことを確認した。