[13p-PA10-1~21] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[13p-PA10-4] Structure and luminescence evaluation of trench defects in red-emitting InGaN/GaN SQW

〇Takashi Tange¹, Taeko Matsukata¹, Takumi Sannomiya¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:nitride semiconductor, crystal defect, cathodoluminesence

InGaN系化合物半導体光デバイスは、LEDやLDへの応用が進む中で市場からは更なる高効率化が要求されている。一方で、この系はIn組成の増加に伴い発光強度が低下することが知られているが、これはGaNとInNの大きな非混和性とIn組成ゆらぎの増大が一因になっていると考えられている。今回、我々は、LDデバイスに主に用いられるGaN基板上にInGaN/GaN単一量子井戸構造(SQW)を作製し、高In組成領域で発生する特徴的な結晶欠陥の発生に着目した。本報告ではIn組成濃度による構造変化も踏まえ、結晶欠陥のローカルな発光特性の特徴、および発生メカニズムについて報告する。