[13p-PA3-1~28] 12.5 有機太陽電池

[13p-PA3-4] Cat-CVDによるMAPbI₃上へのドープSi膜の堆積

〇宋 展程¹、相撲 優花²、深谷 翔子³、Md. Shahiduzzama⁴、ヒュン トゥティカム¹、當摩 哲也^2,3,4、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.金沢大、3.金大院新、4.NanoMaRi)

キーワード：ペロブスカイト太陽電池、Cat-CVD、アモルファスシリコン

ペロブスカイト太陽電池の電子輸送層への使用を目的に、MAPbI3上へのCat-CVDでのn-a-Si製膜を試みた。透過率スペクトルにおいて、n-a-Si堆積時の最終到達温度が136 °Cでであった場合には、MAPbI3の光学特性が保たれることを確認した。一方、到達温度がこれより高い試料においては、波長>500 nmに新たな透過成分が出現することを見出した。