[13p-PA4-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[13p-PA4-1] グラフェン・アシストエッチングによるGe表面の選択領域加工

〇(M1)三栗野 諒¹、小笠原 歩見¹、平野 智暉¹、川合 健太郎¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.阪大工)

キーワード：触媒援用化学エッチング、ナノカーボン材料、半導体表面

我々は，溶液中でグラフェンシートと接触した半導体表面が選択的にエッチングされる，グラフェン・アシストエッチングを見出し，窒素ドーピングや温度制御がエッチング速度に与える影響を調査してきた．今回は，グラフェンシートが発現する化学エッチング機能とフォトリソグラフィー技術を組み合わせて，Ge表面にトレンチ加工を試みた結果について報告する．