[13p-PA4-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[13p-PA4-3] HEMTのセルオートマトンシミュレーションにおける界面電荷の影響

〇福田 浩一¹、服部 淳一¹、浅井 栄大¹、牧山 剛三²、小谷 淳二² (1.産総研、2.富士通)

キーワード：半導体、高電子移動度トランジスタ、シミュレーション

HEMTの2DEGの輸送計算をPoisson-Schroedinger法とフラックス補間型セルオートマトン法を適用し、界面電荷の影響を調べた。