[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-2] RF-MBE法で成長したGaAsNにおけるEgのN組成依存性

〇藤森 郁男¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN、バンドギャップエネルギー、吸収係数

低N組成のGaAsNは、N組成の増加に従ってバンドギャップエネルギー(Eg)が減少するため、GaAsよりもEgが小さいという特性がある。そのため、次世代の太陽電池への応用が期待される。したがって、GaAsNのEgを正確に評価することが重要となる。ここで、GaAsNのEgを測定する際には、GaAsNの電気的特性にも注意しなければならない。本研究では、RF-MBE法を用いて不純物混入の少ないGaAsNを成長し、光の透過・吸収測定により、N組成とEgの関係を求めた。