[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[13p-PA5-2] Relationship between N composition and Eg of GaAsN grown by RF-MBE

〇Ikuo Fujimori¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, bandgap energy, absorption coefficient

低N組成のGaAsNは、N組成の増加に従ってバンドギャップエネルギー(Eg)が減少するため、GaAsよりもEgが小さいという特性がある。そのため、次世代の太陽電池への応用が期待される。したがって、GaAsNのEgを正確に評価することが重要となる。ここで、GaAsNのEgを測定する際には、GaAsNの電気的特性にも注意しなければならない。本研究では、RF-MBE法を用いて不純物混入の少ないGaAsNを成長し、光の透過・吸収測定により、N組成とEgの関係を求めた。