[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-3] 第一原理計算によるGaPN混晶におけるバンドテイル状態の検討

〇矢口 裕之¹ (1.埼玉大理工)

キーワード：希釈窒化物半導体、バンドテイル、第一原理計算

GaPN混晶において，バンドテイル状態を介した２段階光吸収にアップコンバージョン発光が観測される。この２段階光吸収を太陽電池に応用することでエネルギー変換効率の向上が期待される。本研究では，第一原理計算を用いてバンドテイル状態の形成機構などを検討した。様々な窒素原子配置のスーパーセルに対して電子構造を求めた結果，局所的な窒素原子配列がバンドテイル状態の形成に強く影響することがわかった。