[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-4] 低温成長GaAs_1-xBi_xの結晶学的・光学的両特性

〇横手 竜希¹、堀田 行紘¹、高垣 佑斗¹、林 亮輔¹、富永 依里子¹、行宗 詳規²、藤原 亮²、石川 史太郎² (1.広大院先端研、2.愛大院理工)

キーワード：半導体