[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-7] AlGaAs系半導体材料を用いたフォトカソードのMBE成長

〇(M1)森田 伊織¹、石川 史太郎¹、西谷 智博²、田渕 雅夫³ (1.愛媛大工、2.名古屋大 IMaSS、3.名古屋大 SRC)

キーワード：MBE成長