[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-9] InP基板上のInAs/InGaAsSb type-Ⅱ超格子構造の中赤外LED の作製（2）

〇(B)飯嶋 直人¹、宇野 江¹、坂本 克好¹、山口 浩一¹ (1.電通大院基盤理工)

キーワード：半導体、type-II超格子構造、中赤外発光