[13p-PA8-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [13p-PA8-1] C-AFMとEBSDによる水素終端多結晶ダイヤモンド表面の局所電気的分析

〇吉井 大陸¹、藤井 茉美¹、唐木 裕馬¹、作場 宥斗¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：ダイヤモンド半導体、電子線後方散乱回折法、原子間力顕微鏡

ダイヤモンドはパワー半導体素子に適した物性値を有しており，近年ではダイヤモンドが持つ表面を水素で終端することでp型の導電性が発現する性質と単結晶基板と比較すると大型化，低コスト化に有利な多結晶ダイヤモンドデバイスの研究が検討されている．我々は，水素終端多結晶ダイヤモンドに生じる局所電気的欠陥の挙動の分析を行っており，本研究ではEBSDを使用し結晶方位の観点から局所電気的欠陥との相関性の解明を目指した．