[13p-PA8-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

[13p-PA8-17] 相構造制御による高性能低ギャップSi添加a-C半導体の開発

〇本多 謙介²、松本 明香里¹、近藤 文太¹、楢木野 宏² (1.山大理生物・化学科、2.山大大学院創成科学)

キーワード：アモルファスカーボン、半導体、ヘテロ接合太陽電池

本研究では、電子デバイスに適用可能な半導体特性を有する低ギャップ窒素ドープSi添加a-C半導体の具現化を目的とした。作製した窒素ドープSi添加a-C半導体とp型Siによるヘテロ接合太陽電池は、全ての光学ギャップ領域で太陽電池として機能することが確認できた。したがって、高い半導体特性を示す、光学ギャップ可変な半導体材料を創製することに成功した。