[13p-PA8-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

[13p-PA8-18] 高効率太陽電池へ向けた新規な不純物ドープシリコン添加アモルファスカーボン半導体薄膜の開発

〇(B)近藤 文太¹、楢木野 宏²、本多 謙介² (1.山口大理、2.山口大院創成科学)

キーワード：アモルファスカーボン、半導体薄膜、不純物ドープ

高効率多接合型太陽電池の実現に向けて，我々は窒素ドープｎ型Si添加アモルファスカーボン半導体薄膜とp-Siから構成されるヘテロ接合太陽電池の作製を試みた．この研究では，変換効率 (短絡電流密度)を改善するためにキャリアの活性化が期待できるリン，硫黄，ビスマス原子を用いて，新しい不純物ドープn型Si添加アモルファスカーボン薄膜を開発し，高性能化を図った．その結果，ドーパントに硫黄を適用することにより，窒素を用いた場合よりも変換効率の向上に成功した．