[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-1] PMA処理がALD-Al₂O₃/GaN界面特性に与える効果

〇(M1)森下 優平¹、橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、MOS界面特性