[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-10] アルカリ溶液エッチングを用いたAlN構造体形成とGaN結晶成長

〇中村 昌幸¹、小林 貴之¹、幸 康一郎²、井本 良²、岡田 成仁²、立田 利明¹、只友 一行²、本山 慎一¹ (1.サムコ、2.山口大)

キーワード：GaN、PSS、原子層堆積法

PSSはGaN層の結晶性の改善やLEDの外部量子効率の向上に効果があり、GaN-LEDによく用いられるが、その作製工程においてサファイアのドライエッチングを行うため、多くの腐食性ガスとエネルギーが必要となる。今回、我々はAlNのスパッタ成膜とアルカリエッチングを組み合わせることで、PSSと同様の形状を持つAlN構造体を作製できることを確認した。更に、AlN構造体上にALD-AlN膜を形成することで構造体上に平坦なGaNを形成することができた。