[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-14] GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(II)

〇西村 智朗¹、池田 清治¹、加地 徹² (1.法政大、2.名古屋大)

キーワード：GaN、イオン注入、チャネリング

HVPE成長させた高純度GaN基板に対し<0001>チャネリング入射条件で50, 80, 120, 180 keVのMgを1×10¹⁴ cm^-2イオン注入した試料と、180 keV Mgを1×10¹⁵ cm^-2注入した試料を用いSIMS分析やシミュレーション解析などを行った。結果 50 keVの低エネルギーでもMgが数μmの深さまでイオン注入されている事が分かった。