[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-15] 6.6 kV級ノーマリーオフ GaN-PSJ FET

〇八木 修一¹、斉藤 武尊¹、中村 文彦¹、伊佐 雄太¹、神山 祐輔¹、成井 啓修¹、河合 弘治¹、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩² (1.パウデック、2.名大未来材料・システム研)

キーワード：窒化ガリウム、トランジスタ、ノーマリーオフ