[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-2] 高温熱処理されたMOVPE p-GaNの浅い準位の評価

〇(M1)吉田 光¹、寺部 知世¹、安井 裕喜¹、竹内 和歌奈¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義^2,3、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：p-GaN

アドミタンス測定を用いて、MOVPE法により成長させたp-GaNの活性化熱処理温度の影響を調べた。活性化熱処理温度は750、850、950°Cで、熱処理時間5分のものを用いた。トラップA(E_v+0.16 eV)は、熱処理温度950°Cのp-GaNでのみ観測され、トラップ濃度は9.3x10¹⁵ cm^-3と高濃度に観測された。トラップB(E_v+0.34~0.35 eV)は、各熱処理温度で共通に観測され、その濃度は2.2~3.1x10¹⁵ cm^-3であった。