[13p-PA9-1~25] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13p-PA9-20] Estimation of parasitic circuit elements by measuring radiated emission

〇Toshihide Ide^1,2, Mitsuaki Shimizu¹, Noriyuki Takada² (1.NU-AIST GaN-OIL, 2.AIST ESPRIT)

Keywords:GaN, Wireless Power Transmission, Parasitic element

GaN電子デバイスは高耐圧・高速動作が可能なことから高出力・小型のスイッチング回路やワイヤレス給電（Wireless Power Transmission: WPT）回路が構成できる。GaNデバイスを高速スイッチング回路に用いた際にGaNデバイスと配線の寄生インダクタンスによる共振からノイズが発生することが知られており、我々はGaNスイッチング回路の放射電磁界からノイズ等の原因となる寄生素子を抽出する方法について報告してきた。本研究では、GaN-WPT回路における放射電磁界からの寄生インダクタンス抽出法について調べたので報告する。