[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-21] 分極電荷の広がりを考慮したGa極性・N極性GaNの実効ショットキー障壁高さモデル

〇末光 哲也¹、眞壁 勇夫² (1.東北大、2.住友電工)

キーワード：GaN、ショットキー障壁、分極

Ga極性およびN極性GaNのショットキーダイオードを用意し、障壁高さを評価した。電流特性、容量特性いずれの評価でも、N極性GaNの方が約0.21V低い障壁高さを示した。この差を分極電荷の符号の違いによって説明するため、分極電荷が表面からある程度の深さまで分布しているモデルを提案した。また両極性間の障壁高さの差の実験結果に合うようにその深さを求めると約5Åとなった。即ち、六方晶GaNのc軸方向の格子定数相当であるといえる。