[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-24] In_0.78Ga_0.22SbチャネルHEMTの高周波及び雑音特性に関するモンテカルロシミュレーション解析

〇熊坂 昂之輔¹、白井 脩策¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東京理科大学)

キーワード：HEMT、InGaSb、モンテカルロシミュレーション

チャネル層にIn_0.78Ga_0.22Sb及びInSbを用いたHEMTのモンテカルロシミュレーションを行い、高周波特性及び雑音特性の比較を行った。トランジスタの真性成分に関してはInSbチャネルHEMTが高周波低雑音デバイスとしてやや優位である。一方、In_0.78Ga_0.22Sb HEMTはInSb HEMTに比べシート抵抗が59%減少するという結果が報告されている。従って、遮断周波数(f_T)に関しては寄生成分を考慮することで、In_0.78Ga_0.22Sb HEMTはInSb HEMTで大小が逆転する可能性がある。