[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-4] GaN 上のシリコン熱酸化膜形成

〇(M1)北脇 侑弥¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：GaN、シリコン熱酸化膜、XPS

GaN MIS 構造用に種々の絶縁体が検討されているが、Si MOSFET のゲート絶縁膜と
して最も実績のあるSi 熱酸化膜については報告例がない。Si 熱酸化膜は実用されている絶縁膜の
中で最も大きなバンドギャップを有し、大きな伝導帯不連続量も期待されるため、GaN パワー
MOSFET のゲート絶縁膜として有用であると期待される。本発表においては、GaN 上のSi 熱酸化
膜形成について検討した結果を報告する。