[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-8] Cl2を用いたGaNエッチングに及ぼす装置からの影響

〇(B)岡本 萌¹、濵屋 有志¹、森山 裕貴¹、新海 聡子¹ (1.九工大)

キーワード：窒化ガリウム(GaN)