[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-11] Crystal line orientation dependency of triangle nano hole structure by HEATE for InGaN/GaN optical waveguide type photonic crystal device

〇Koki Abe¹, Yuki Ooe¹, Yusei Kawasaki¹, Daichi Ito¹, Yuta Moriya¹, Kentaro Kinoshita¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Photonics Research Center)

Keywords:nano processing, GaN, photonic crystal

フォトニック結晶は光デバイスの高性能化に有用なデバイス技術であり、その実現にナノ構造加工技術は必要不可欠である。本研究室ではこれまで、高温減圧水素雰囲気下でのGaNの熱分解反応を利用する低損傷極微細ナノ加工技術であるHEATE(Hydrogen Environment Anisotropic Thermal Etching)法によるナノ構造加工について報告してきた。本稿ではHEATE法における面方位依存性についての検討を行ったためそれについて述べる。