[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-11] InGaN/GaN屈折率導波路型フォトニック結晶デバイスに向けたHEATE法による三角ナノホール構造の面方位依存性検討

〇阿部 洸希¹、大江 優輝¹、川崎 裕生¹、伊藤 大智¹、森谷 祐太¹、木下 堅太郎¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクスリサーチセンター)

キーワード：ナノ加工技術、GaN、フォトニック結晶

フォトニック結晶は光デバイスの高性能化に有用なデバイス技術であり、その実現にナノ構造加工技術は必要不可欠である。本研究室ではこれまで、高温減圧水素雰囲気下でのGaNの熱分解反応を利用する低損傷極微細ナノ加工技術であるHEATE(Hydrogen Environment Anisotropic Thermal Etching)法によるナノ構造加工について報告してきた。本稿ではHEATE法における面方位依存性についての検討を行ったためそれについて述べる。