[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-12] Fabrication of GaN-μLED array using element isolation technology by Boron ion implantation

〇(M1)Futoshi Yoshimura¹, Kouji Higashimoto¹, Akihiro Wakahara¹, Keisuke Yamane¹ (1.Toyohashi Tech)

Keywords:III-V nitride semiconductor, Optical integrated circuit

我々の研究室では光通信分野への応用に向けた研究を行っており，小型化かつ駆動回路との一体化可能な平坦なLED構造の検討を進めている．従来の研究では，ホウ素の注入量が10¹⁹ cm^-3程度の高濃度注入により高抵抗化を実現しているが^[1]，一般的に高濃度注入では注入後のレジスト剥離が困難であるという問題が生じる．そこで，本研究ではGaN系微細マイクロLEDアレイ作製を念頭に，低濃度ホウ素イオン注入による素子分離の可能性を検討した．