[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-15] InGaN/GaN量子井戸の表面プラズモン共鳴による発光増強においてGaN基板の極性が与える影響

〇池田 健人¹、亀谷 純¹、中村 俊樹¹、村尾 文弥¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、岡田 成仁²、只友 一行²、岡本 晃一¹ (1.阪府大院工、2.山口大院創成)

キーワード：表面プラズモン、InGaN/GaN、半極性

InGaN/GaN量子井戸の発光機構は，量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)によって大きく影響され，青から緑の発光波長において発光効率が著しく低下する．しかしこの効果は，半極性GaN基板を用いることで低減できる．本研究では，我々がこれまで報告してきた表面プラズモン(SP)共鳴を用いた発光増強において，GaN基板の極性が与える影響をみるために，Ag被覆した 極性/半極性InGaN/GaN からの青色発光の顕微フォトルミネッセンス(PL)測定を行ったので報告する．