[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-16] HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造

〇石川 由加里¹、菅原 義弘¹、横江 大作¹、姚 永昭¹ (1.JFCC)

キーワード：GaN、転位、ビッカース

ワイドバンドギャップ半導体の加工変質層の構造を知るために、モデル実験としてHVPE-GaN結晶上にビッカース圧痕を形成し、多光子顕微鏡と透過型電子顕微鏡を用いてビッカース圧痕周辺の転位の3次元構造を評価した。従来報告されているrosette armの下に２つの転位ループ構造があることがわかった。転位構造は荷重にかかわらず相似だった。また、ビッカース圧痕サイズと転位構造サイズは比例関係が保たれていた。