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[13p-PB1-16] HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造
キーワード:GaN、転位、ビッカース
ワイドバンドギャップ半導体の加工変質層の構造を知るために、モデル実験としてHVPE-GaN結晶上にビッカース圧痕を形成し、多光子顕微鏡と透過型電子顕微鏡を用いてビッカース圧痕周辺の転位の3次元構造を評価した。従来報告されているrosette armの下に2つの転位ループ構造があることがわかった。転位構造は荷重にかかわらず相似だった。また、ビッカース圧痕サイズと転位構造サイズは比例関係が保たれていた。