[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-PB1-17] SLS層によるAlGaN/GaN HEMT構造の転位低減

〇浦田 峻佑¹、キム ヒョンス¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：MOCVD、HEMT、SLS

これまでに得られた知見として、Si基板上にGaNを成長させる際にはバッファ層として歪超格子(SLS)層を挿入することで転位の低減を図っており、その際にGaN層においてSLS層との界面から0.1µm程度の範囲で転位が減少することが確認されている。本研究では、この効果を利用しSi基板上AlGaN/GaN HEMTの更なる転位低減にむけた取り組みを行ったので報告する。