[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-19] リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電流コラプス評価

〇(M1)國友 俊佑¹、佐藤 慧弥¹、清籐 泰旦¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大、2.東大生硏)

キーワード：半導体、GaN、FET

AlGaN/GaNヘテロ構造（HFET）においてリセス構造は、特にノーマリーオン型のデバイス動作を実現するためにゲート電極下が適用されることが多い。前回我々はノーマリーオン型のデバイスとしてソース・ドレイン電極間領域にリセスを施したデバイスを作製したところ、Non-recessed HFETよりもソース抵抗の小さい良好なデバイス特性を報告した。そこで今回、前記のリセス構造HFETの電流コラプスを評価したところ、コラプスの小さい魅力的な特性が得られた。