[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-21] 最高感度を保有するゲート電圧制御型AlGaN紫外線センサの開発

〇吉川 陽¹、洞口 基玖²、永瀬 和宏¹、岩谷 素顕²、竹内 哲也²、上山 智²、赤﨑 勇^2,3 (1.旭化成、2.名城大　理工、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：紫外線センサ、二次元電子ガス、トランジスタ

近年、炎センサや計測用途に太陽光や蛍光灯に反応しない（ソーラーブラインド）かつ高感度な紫外線センサが望まれている。本研究ではAl_0.6Ga_0.4N/Al_0.5Ga_0.5N界面に誘起される二次元電子ガス(2DEG)を利用したセンサを開発した。Ni/Auショットキーゲート電極に印加したゲート電圧で2DEGのキャリア量を制御し、超高感度および高リジェクション比を達成した。
受光感度は10⁶ A/W、リジェクション比は10⁶であり、これは固体デバイスでは世界最高特性である。本結果により、固体デバイスによる光電倍レベルのセンサ実現の可能性を示した。