[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-23] ダイヤモンド基板上のMBE成長AlGaN薄膜の質とバンドオフセット

〇河野 省三¹、堀川 清貴²、立石 哲也²、矢部 太一²、蔭浦 泰資³、川原田 洋^2,1 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.物材機構)

キーワード：ダイヤモンド基板、AlGaN薄膜、バンドオフセット

n型AlGaNとp型ダイヤモンド接合が実現するとパワーデバイス等への用途が拡大することでダイヤモンド基板上のAlGaN薄膜成長は注目される。MBE法によるダイヤモンド基板上のn型AlGaN膜成長は報告例がない。
本研究では、ダイヤ(111)基板上に電気伝導性のAlGaN薄膜をMBE法により作成することが出来たのでその薄膜の質とダイヤモンド基板とのバンドオフセットについて報告する。