[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-29] 第一原理計算によるSiO₂中Gaの電子状態解析

〇大内 祐貴¹、小笠原 美紀¹、広瀬 隆之¹、松山 秀昭¹、上野 勝典¹、高島 信也¹ (1.富士電機)

キーワード：SiO2、第一原理計算、リーク

GaN上の絶縁酸化膜として、SiO₂が注目されている。しかし、GaN上に成膜されたSiO₂では、熱処理によるGaの拡散が見出され、絶縁膜の信頼性などへの影響が懸念されている。今回、SiO₂中に拡散したGaがリークパスの原因になるかを調べるため、第一原理計算を用いて単結晶SiO₂中のGa不純物が形成するギャップ内準位の解析を行った結果を報告する。