The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 13, 2020 4:00 PM - 6:00 PM PB1 (PB)

4:00 PM - 6:00 PM

[13p-PB1-4] Growth of GaN layer by UHV sputter-epitaxy method

Naoki Fukuda1, Masaki Iwamoto1, Takuya Osada1, A-i Mizuno1, Ki Ando1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, sputter

我々は,超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて,Ⅲ族窒化物半導体のエピタキシャル成長を行なっている.これまでスパッタリング法によるGaN層の成長において,比較的低温で閃亜鉛鉱型構造が得られている.本研究では,閃亜鉛鉱構造をもつGaN層の成長に関する詳細について検討したので報告する.