[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-7] 高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価 (II)

〇橘 秀紀¹、高林 佑介¹、中村 亮介¹、毛利 真一郎¹、名西 憓之¹、荒木 努¹、正直 花奈子²、三宅 秀人^2,3 (1.立命館大理工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：InN

InNは、長波長光デバイスや高周波電子デバイスの応用に向け魅力的な材料です。ただし、InNに格子整合した基板がないため、異種基板（GaNやサファイア）上にヘテロエピタキシャル成長したInN膜中の貫通転位の密度が非常に高くなる。そこで、我々のグループでは高品質AlNテンプレートを使用してInN膜中の転位の低減を目指した。本発表では、InN層の転位の評価に加え、InN/AlN界面の極微構造評価を行った結果について報告する。