[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-8] RF-MBE法を用いたN-polar AlN上へのN-polar InNの成長

〇福田 安莉¹、毛利 真一郎¹、名西 憓之¹、荒木 努¹、正直 花奈子²、三宅 秀人^2,3 (1.立命館大理工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：InN

InNは小さい有効質量、高い移動度を有しているため、高速高周波デバイスへの応用が期待されている。しかし窒素分子の平衡蒸気圧が高いなどの理由で、高温での結晶成長が困難である。一方、N極性InN成長では、In極性InNよりも約100℃高い温度での結晶成長が可能であるとの報告がある。本発表では、高温での結晶成長を目的とした、N極性AlN上へのN極性InNの結晶成長を行い、結晶学的、電気的特性について調査した結果について報告する。